Walter Brattain (1902 - 1987) inventores/images/brattain.jpg Nacido en febrero de 1902, en China donde su padre se trasladó para impartir clases de matemáticas y ciencia, aunque pronto volvieron a los Estados Unidos. Criado en una granja cercana a la frontera con Canadá, su vida discurría entre el colegio y el trabajo en el rancho. En 1920 entró en la Escuela Universitaria Whitman, donde se especializó en física y matemáticas. Continuó sus estudios en las Universidades de Oregón y Minnesota, donde se doctoró. Entró a formar parte de los laboratorios Bell en 1929. Junto con William Shockley y John Bardeen entró a formar parte del equipo que inventó el transistor. En 1947, Bardeen y Brattain observaron el fenómeno que daría lugar al nacimiento del transistor: cuando se aplicaban señales eléctricas a un cristal de germanio, la potencia de salida era mayor que la de entrada. El propio Brattain construyó el primer transistor. Esta pieza se ha convertido en el componente principal de todos los circuitos digitales. La gran ventaja del transistor sobre las valvulas es su menor tamaño, utiliza menos energía y genera menos calor. La invención del transistor provocó la creación de una nueva industria. En 1956 Bardeen, Shockley y Brattain ganaron el premio Nobel. Brattain was born in China in February, 1902, where his parents had moved to teach mathematics and science, although they soon went back to the United States. Brattain grew up on a farm near the Canadian border, helping his father with the farm chores after school. In 1920 he enrolled at Whitman College, specialising in physics and mathematics. He continued his studies at the Universities of Oregon and Minnesota, where he earned his Ph.D. He began to work at Bell Telephone Laboratories in 1929. Together with William Shockley and John Bardeen he was part of the research team that invented the transistor. In 1947, Bardeen and Brattain observed the phenomenon that marked the birth of the transistor: the output power generated when electrical signals were applied to a germanium crystal was higher than the input. Brattain himself built the first transistor. This device became the main component of all digital circuits. Its advantages over valves, used hitherto, were that it was smaller, used less energy and generated less heat. The invention of the transistor drove the onset of a whole new industry. Bardeen, Shockley and Brattain shared the Nobel prize in 1956. Nasceu na China em Fevereiro de 1902, para onde os pais tinham ido como professores de matemática e ciências, de onde regressaram aos Estados Unidos. Brattain foi criado numa herdade próxima da fronteira com o Canadá, frequentava a escola e, ao mesmo tempo, ajudava o pai no rancho. Em 1920, entrou para o Whitman College, tendo-se especializado em Física e Matemática. Prosseguiu os estudos nas Universidades de Oregon e Minnesota, onde obteve o seu Doutoramento. Começou a trabalhar nos Laboratórios da Bell em 1929, onde, conjuntamente com William Shockley e John Bardeen fazia parte da equipa de estudos que inventou o transístor. Em 1947, Bardeen e Brattain observaram o fenómeno que daria lugar à sua efectivação prática, constatando que a potência de entrada era maior do que a de saída, quando os sinais eléctricos eram aplicados num cristal de germânio. Foi o próprio Brattain quem construiu o primeiro transístor. Este dispositivo é o componente principal de todos os circuitos digitais. É melhor do que as válvulas graças às suas menores dimensões, menor necessidade de energia e dissipação de calor. A sua invenção deu início a uma nova indústria. Em 1956, Bardeen, Shockley e Brattain ganharam o Prémio Nobel. Walter Brattein wurde im Februar 1902 in China geboren, wo seine Eltern Mathematik und Naturwissenschaften unterrichteten. Bald nach seiner Geburt zog die Familie zurück in die USA. Der Junge wuchs auf einer Farm, nahe der kanadischen Grenze auf. Er ging zur Schule und half seinem Vater auf der Farm. Ab 920 ging er auf das Whithman College, wo er sich in den Fächern Mathematik und Physik spezialisierte. Auf der Universität von Oregon promovierte Brattain und begann 1929 in den Bell Telephone Laboratories zu arbeiten. Zusammen mit William Shockley und John Bardeen gehörte er zu der Forschungsgruppe, die den Transistor erfand. 1947 machten Bardeen und Brattain eine Beobachtung, die als Geburtsstunde des Transistors gilt; unter Verwendung eines Germanium-Kristalls war die Signalstärke beim Output größer als beim Input. Brattain selbst baute den ersten Transistor. Dieses Bauteil ist zum wichtigsten Bestandteil digitaler Schalkreise geworden. Der Transistor ist besser als Röhren, weil er kleiner ist, weniger Energie verbraucht und weniger Wärme produziert. Die Erfindung des Transistors führte zur Entwicklung eines neuen Industriezweigs. 1956 erhielten Bardeen, Shockley und Brattain den Nobelpreis.